Милтон Фенг (Milton Feng) и Валид Хейфз (Walid Hafez) из университета Иллинойса (University of Illinois at Urbana-Champaign – http://www.uiuc.edu/) создали самый быстрый в мире транзистор, способный работать на тактовой частоте 604 гигагерца, сообщает Membrana.ru.
Размеры нового транзистора – сущ
ственно меньше полмикрона, что, в общем-то, сопоставимо с размерами деталей, применяемых в современных микросхемах.
Новинка относится к так называемому типу биполярных транзисторов. Для создания его трЈх слоЈв (базы, эмиттера и коллектора) авторы проекта использовали смесь двух различных полупроводников – фосфид индия и арсенид галлия-индия.
Тщательно подбирая состав и пропорции, исследователи добились того, что электроны в коллекторе могут двигаться быстрее и пробегать большее расстояние, прежде, чем они тормозятся в столкновениях с атомами.
Хотя в компьютерах, отмечают учЈные, используется, в основном, другой тип транзисторов – полевой, разработать такой транзистор на базе найденных материалов – возможно, хотя и будет не легко.
Однако созданные транзисторы (а ранее те же авторы выходили в свет с экспериментальными образцами на 282-509 гигагерц) – далеки от того, чтобы из них уже можно было составлять микросхемы с тысячами деталей. Пока речь идЈт только об экспериментах.
И всЈ же, данная работа – это шаг к появлению высокоскоростных компьютеров.